500keV电子辐照对自支撑还原氧化石墨烯薄膜的影响
简介：本文研究了还原氧化石墨烯薄膜(Reduced graphene Oxide Film,rGOF)在500 keV不同注量下的电子辐照效应,分别测定辐照前后rGOF的电学性能、结构缺陷、表面化学组成、表面形貌、层片间距和热稳定性.结果表明:经电子辐照后,材料表面的电阻值增大,有辐射诱导缺陷形成,sp2和sp3碳以及含氧官能团含量均发生变化,热稳定性略有提高,石墨烯层片间距变大.FLUKA计算结果表明高能电子能够穿透石墨烯薄膜.分析表明rGOF辐照前后电性能的变化是由缺陷、结构紊乱、含氧官能团和C/O原子比变化引起的.展开
学者：甄小娟黄一凡冯展祖罗丹龚成师蒋锴潘多龙杨生胜
关键词：还原氧化石墨烯薄膜电子辐射效应电学性能结构变化表面化学组成
在线出版日期：2025-02-28 （网站首发日期）
